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铝箔交流扩面腐蚀中SO42-缓蚀机理的研究

冯哲圣 , 肖占文 , 杨邦朝

中国腐蚀与防护学报

测试了高纯电子铝箔(以下简称铝箔)在2 mol/L HCl和2 mol /L HCl+05 mol/L H2SO4溶液中三角波动电位激励时的电流响应曲线，用Daubechies2 小波对所测得的电流响应曲线进行了时频分解，研究了SO2-4在铝箔交流扩面电蚀 工程中的缓蚀机理.提出了铝箔在含Cl-溶液中点蚀的氧空位侵蚀机理模型，该模型指出 在一定的酸度条件下，在侵蚀膜表面形成的正电荷集中点是Cl-与SO2-4发生特性 吸附的原因；Cl-在侵蚀膜内的主要传输途径是存在于侵蚀膜内微晶晶界上的氧空位链； 进入侵蚀膜内的SO2-4在强场作用下发生离解，离解出的O2-与侵蚀膜内的氧 空位作用，致使氧空位湮灭，切断了Cl-在侵蚀膜内的传输途径，同时由于这种作用调整 了Cl-在侵蚀膜内传输的网络结构，增加了新蚀孔的萌生机率，从而在铝箔电蚀扩面腐蚀 工程中起到了独特的缓蚀作用.

关键词: 铝箔 , AC etching , wavelet analysis , Cl- , SO2- 4 , , mechanism